先端半導体基板のラップ研磨の改善によりCMP工程コストを抑制
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3Mのエレクトロニクス用精密研磨材は、半導体、電子デバイスやSiCウェハー（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム）ウェハー、Ga2O3（酸化ガリウム）ウェハーなどのパワー半導体用基板研磨、サファイア基板、石英、セラミック基板、ガラス基板の研磨工程で使用され、難削材料、脆弱材料のラッピング、ポリッシングの工程をより速い研磨レートで且つ低ダメージ・低表面粗さで平坦性高い仕上げを実現します。
3Mのエレクトロニクス用精密研磨材の特長は、３Ｍ™ トライザクト™ 精密研磨材に代表される、研磨材表面に3M独自技術を用いた立体構造を持つ研磨材です。立体構造体を形成することにより、研磨時に発生する研磨カスが底部に落ち込み排出されますので、被研磨物の表面を傷つけるリスクが減り、被研磨物表面の低ダメージ・低表面粗さを実現しますので、CMP工程でのダメージ除去に要する研磨加工時間を削減し、生産性を向上させることが可能です。
３Ｍ™ トライザクト™ 製品 ラインナップ
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３Ｍが新たに開発した３Ｍ独自の高精細表面テクノロジーなどの技術を応用した、最先端プロセス・ノード（≦32nm）向けパッドコンディショナーです。
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３Ｍ™ トライザクト™ コンポジットスラリー＆パッド（TCSP）SiC, GaN, Ga2O3(酸化ガリウム）、 多結晶セラミック、サファイヤといった難削材のラッピング研磨用途に開発されました。高速且つ低ダメージの研磨ソリューションにより次工程のポリッシングの負荷を軽減します。
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石英、ガラス、窒化アルミニウムなどの材料に対して高速且つ低ダメージ、高い平坦性でのラッピング研磨を実現します。平面研磨、曲面形状のレンズ研磨のソリューションをご提供します。
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電子デバイスの信頼性試験時に行われるチップ断面研磨など硬軟混合材料の研磨を段差無く、鏡面に近い仕上げを高速で実現します。ウェハーのエッヂ・ベベル研磨にも適用可能です。
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３Ｍ™ トライザクト™ ラッピングフィルム（TLF）マザーガラスや液晶パネルなどの表面・端面に付着するガラスカレットや樹脂・異物の除去に使用されています。アルミナ砥粒が封入された研磨材です。
３Ｍは、お客様からのご質問に答え、サンプル提供、データの提供などについて、グローバルなサポートを提供します。 是非お問い合わせください。
