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UV硬化型液体接着剤を使用してウェーハを支持基板にマウントするため凹凸吸収性に優れ、極薄研削が可能。
TTV 5µm以下の高精度のマウントをボイドレスで実現。高温プロセス(250℃)や、酸、アルカリ等の各種薬液を使用したプロセスにも対応可能。
剥離はレーザートリガーによる完全ドライプロセス。
3次元実装、パワー半導体、MEMS等の極薄裏面研削などの工程で、3M独自の接着・剥離技術によりデバイスウェーハを支持します。
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