3M™トライザクト™ CMPパッド

3M™トライザク
ト™ CMPパッド

半導体製造工程において、安定したパフォーマンスと効率を実現するように設計されています。

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  • 革新的な溝のデザインを施し、独立した単位格子を有する3M™トライザクト™ CMPパッド — 光学顕微鏡の画像。

CMP工程に安定したパフォーマンスを提供します

IoT、スマートシティ、コネクテッドトランスポーテーション、モバイルコンピューティング、エッジコンピューティングなどのトレンドは、より多くのメモリと処理速度の速い半導体が求められています。半導体製造プロセスのCMP工程には、高いパフォーマンスと費用対効果の高い安定した性能が求められています。
生産性向上のニーズは、併せて製造工場における製造変動、プロセスロス、デバイスへ影響ないことも求めています。3M™トライザクト™ CMPパッドはCMPプロセスに革新をもたらす製品で、CMP工程のパフォーマンスを安定させます。

  • アドバンスノードにおける高度なパフォーマンス

    アドバンスノードにおける高度なパフォーマンス

    3M™トライザクト™ CMPパッドは3Mの持つ成形、表面改質、マイクロレプリケーションのノウハウをベースに開発された製品で、
    CMPプロセスに革新的なパッドとなっています。
     

    • マイクロレプリケーション技術により精密に設計された3次元構造の凹凸と微細孔をパッドの表面に施すことで、パッド間で表面形状のばらつきが発生せず、アドバンスノードのCMPプロセスで求められる要件に対応します。
    • 凹凸と微細孔は独立した単位格子に配置され、ウェーハ全体で圧力が均一にかかります。
    • 当社の高度に制御されたマイクロレプリケーション技術により、安定したパフォーマンスを実現します。

ばらつきの低減と再現性の向上 — 生産収率の向上

ばらつきの低減と再現性の向上 — 生産収率の向上

  • 一貫性

    3M™トライザクト™ CMPパッドは、CMPプロセスに必要となるパフォーマンスを提供するように設計されており、当社独自のマイクロレプリケーション技術を用いて設計されています。この特徴的なデザインにより、安定したパフォーマンスを実現します。
     

    • 研磨プロセスにおける均一性。
    • パッド間で変わらない表面形状。
    • 安定したパッドライフ。
  • 生産収率の向上

    安定したCMPパフォーマンスは、生産収率が向上につながります。3M™トライザクト™ CMPパッドは、平坦化効率を高め、ディフェクトを減らし、生産性と生産量を向上させます。
     

    • CMPプロセスの平坦化効率の向上。
    • エロージョンの低減。
    • ディフェクトの低減。
  • 消耗品の削減

    当社独自のマイクロレプリケーション技術を用いた製品提案により、パッドライフの延長、ダイヤモンドパッドコンディショナーなしのプロセスを確立することができます
     

    • 金属汚染リスクの低減。
    • コストオブオーナーシップの削減。
    • パッドライフの延長、ダウンタイムの短縮。

  • マイクロレプリケーション — 非常に微小なレベルの均一性

    3M™トライザクト™ CMPパッドの中核技術は、3Mのコアテクノロジープラットフォームの1つであるマイクロレプリケーションです。この技術により、精密にデザインされた微小構造を表面に均一に施すことができます。この技術は元々、オーバーヘッドプロジェクターの照明調整を作成するために誕生した技術です。それ以降、何万に及ぶ3M製品に適用されています。


CMPプロセスを見直しませんか

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3Mの革新的な製品でCMPプロセスを向上させる方法についてご紹介します。

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関連資料

  • WIDNU based on gate height and TS dielctric thickness
  • 2016年8月 The Electrochemical Society(ECS)発行の技術論文

    3M™トライザクト™CMPパッドの持つ特徴、独自の技術についてご説明します。


  • innovative groove design of 3M™ Trizact™ CMP pad – SEM image at 35x magnification
    Innovative groove design of 3M™ Trizact™ CMP pad – SEM image at 35x magnification

    Institute of Electrical and Electronics Engineers(IEEE)発行の技術論文、2017年5月

    2017 IEEE International Interconnect Technology Conference(IITC)において、Global Foundriesが発表した、3M™トライザクト™ CMPパッドのコバルトバフCMPプロセスにおけるディフェクトおよびトポグラフィー性能に関するレポートをご覧ください。


御社の半導体製造工程に対する要望におこたえします

生産性向上、高性能、高精度、高効率の実現に役立つ、半導体製造およびハンドリングプロセス向け3M製品をご覧ください。